等離子蝕刻機蝕刻加工可分為兩個全過程：，等離子里的有機化學活性組分，這種活性組分與液體原材料化學物質(zhì)發(fā)生反應，形成揮發(fā)物化學物質(zhì)，同時向表面擴散、排出來。以CF4為例子，其電離度物F與S反應生成SiF4汽體，在含Si原材料的表面形成微切削構(gòu)造。等離子蝕刻加工就是指正離子蝕刻加工、磁控濺射蝕刻加工和等離子灰化等過程。
等離子蝕刻機改性材料深度在于底材環(huán)境溫度、等待時間各種材料蔓延特點，而改性材料的種類在于底材和工藝指標。等離子只有在表面上蝕刻加工好多個μm深，其表面特性出現(xiàn)了改變，但大部分原材料表面特性仍然能夠維持。該方法還可用于表層清理、干固、鈍化處理、更改吸水性和黏附性等，一樣可用于半導體集成電路的制造過程中，還可以在光學顯微鏡下注意到試品變軟?；瘜W變化能通過有機化學磁控濺射造成揮發(fā)物物質(zhì)。常見氣體包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機化學蒸汽等?？伤苄詿o機化合物磁控濺射比具備化學變化的等離子磁控濺射更貼近物理現(xiàn)象。
在蝕刻中，密度高的等離子源具備很多特點，能夠更準確地操縱產(chǎn)品工件規(guī)格，蝕刻加工率更高，原材料可選擇性更強。多層的等離子源能在低壓下運行，因此能變?nèi)跚蕦诱鹗?。在芯片的蝕刻加工環(huán)節(jié)中，選用高密度的等離子源蝕刻技術(shù)，必須運用單獨的微波射頻源對圓晶開展閾值電壓，使能量和正離子互不相關。因為離子的動能一般在幾個電子伏數(shù)量級，因此當正離子進到負鞘層后，根據(jù)動能加快會達到幾百電子伏，而且具有較高的導向性，從而使得正離子蝕刻加工具備各種各樣。