蝕刻機事實上小范圍了解便是光刻浸蝕，先根據(jù)光刻將光刻膠開展光刻曝出解決，隨后根據(jù)其他方法完成浸蝕解決掉所需去除的一部分。伴隨著微生產(chǎn)制造加工工藝的發(fā)展趨勢；理論上而言，刻蝕變成根據(jù)飽和溶液、反映正離子或其他機械設(shè)備方法來脫離、除去原材料的一種通稱，變成微生產(chǎn)加工生產(chǎn)制造的一種普適性稱呼。磁感應(yīng)藕合等離子刻蝕法是有機化學(xué)全過程和全部全過程相互功效的結(jié)果。它的基本概念是在真空泵氣壓低下，ICP射頻電源造成的微波射頻導(dǎo)出到圓形藕合電磁線圈，以一定百分比的混和刻蝕汽體經(jīng)藕合電弧放電，造成密度高的的等離子，在下電級的RF微波射頻功效下，這種等離子對硅片表面開展負電子，硅片圖型地區(qū)的熱電材料的離子鍵被切斷，與刻蝕汽體轉(zhuǎn)化成揮發(fā)物成分，以汽體方式擺脫硅片，隨后從真空電磁閥路被吸走。
光刻機把圖案設(shè)計刻上去，隨后刻蝕機依據(jù)刻上去的圖案設(shè)計刻蝕掉有圖案（或是沒有圖案設(shè)計）的一部分，留有剩余的部分。刻蝕相對性光刻要非常容易。假如把在硅晶體上的工程施工比成木工活得話，光刻機的效果等同于木工在木材上放墨斗線畫線，刻蝕機的效果等同于木工在木材上放手鋸、木工鑿、斧頭、刨刀等工程施工。蝕刻機和光刻機特性一樣，但精密度標準是天差地別。木工做細心活，一般到mm就可以了。做集成ic用的刻蝕機和光刻機，要到納米技術(shù)。如今的手機處理器，如海思麒麟970，驍龍?zhí)幚砥?45全是tsmc的10納米材料。10納米有多小呢？舉個例子。假如把一根直徑是0.05mm發(fā)絲，按徑向均值割成5000片，一片的薄厚大概便是10納米技術(shù)。
光刻機別名：掩模對準曝光機，曝出系統(tǒng)軟件，光刻系統(tǒng)等。一般的光刻加工工藝要歷經(jīng)單晶硅片表面清理烘干處理、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、指向曝出、后烘、顯影液、硬烘、刻蝕等工藝流程。光刻的效果是使表面具備疏水性，提高底材表面與光刻膠的粘附。光刻機可廣泛運用于微納流控芯片生產(chǎn)加工、微結(jié)構(gòu)光電器件、微結(jié)構(gòu)光柵尺、ＮＭＥＭＳ元器件等微結(jié)構(gòu)構(gòu)造元器件的制取。